技术参数
品牌: | ON/安森美 |
型号: | NTB6413ANT4G |
封装: | TO-263 |
批次: | 20+ |
数量: | 1000 |
制造商: | ON Semiconductor |
产品种类: | MOSFET |
RoHS: | 是 |
安装风格: | SMD/SMT |
封装 / 箱体: | TO-263-3 |
通道数量: | 1 Channel |
晶体管极性: | N-Channel |
Vds-漏源极击穿电压: | 100 V |
Id-连续漏极电流: | 42 A |
Rds On-漏源导通电阻: | 28 mOhms |
Vgs - 栅极-源极电压: | 20 V |
最小工作温度: | - 55 C |
工作温度: | + 175 C |
Pd-功率耗散: | 136 W |
配置: | Single |
晶体管类型: | 1 N-Channel |
单位重量: | 4 g |
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