技术参数
品牌: | INFINEON |
型号: | BCM856SH6327XTSA1 |
封装: | 旧库存 |
批次: | 2147 |
数量: | 21000 |
制造商: | Infineon |
产品种类: | 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) |
RoHS: | 是 |
安装风格: | SMD/SMT |
封装 / 箱体: | SOT-363-6 |
晶体管极性: | PNP |
配置: | Dual |
集电极—发射极电压 VCEO: | 65 V |
集电极—基极电压 VCBO: | 80 V |
发射极 - 基极电压 VEBO: | 5 V |
集电极—射极饱和电压: | 250 mV |
直流电集电极电流: | 200 mA |
Pd-功率耗散: | 250 mW |
增益带宽产品fT: | 250 MHz |
最小工作温度: | - 65 C |
工作温度: | + 150 C |
系列: | BCM856 |
直流电流增益 hFE 值: | 630 |
技术: | Si |
商标: | Infineon Technologies |
集电极连续电流: | 100 mA |
直流集电极/Base Gain hfe Min: | 200 |
产品类型: | BJTs - Bipolar Transistors |
工厂包装数量: | 3000 |
子类别: | Transistors |
零件号别名: | BCM 856S H6327 SP000747592 BCM856SH6327XT |
单位重量: | mg |
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