技术参数
| 品牌： | ST |
| 型号： | STB200NF04T4 |
| 批号： | 1250+ |
| 封装： | D2PAK |
| 数量： | 826 |
| QQ： | 2853392653 |
| 描述： | MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK |
| 对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况： | 无铅/符合限制有害物质指令(RoHS3)规范要求 |
| 湿气敏感性等级 （MSL）： | 1（无限） |
| 详细描述： | 表面贴装型-N-通道-40V-120A（Tc）-310W（Tc）-D2PAK |
| 数据列表： | STP200NF04, STB200NF04(-1); |
| 标准包装： | 1,000 |
| 包装： | 标准卷带 |
| 零件状态： | 停產 |
| 类别： | 分立半导体产品 |
| 产品族： | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 |
| 系列： | STripFET™ II |
| 其它名称： | 497-3513-2 |
| FET 类型： | N 通道 |
| 技术： | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）： | 40V |
| 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： | 120A（Tc） |
| 驱动电压（ Rds On，最小 Rds On）： | 10V |
| 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值）： | 3.7 毫欧 @ 90A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（值）： | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值）： | 210nC @ 10V |
| Vgs（值）： | ±20V |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值）： | 5100pF @ 25V |
| FET 功能： | - |
| 功率耗散（值）： | 310W（Tc） |
| 工作温度： | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型： | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装： | D2PAK |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB |
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