产品简介
技术参数品牌:IR型号:IRLMS4502TR批号:20+封装:SOT23-6数量:15000QQ:描述:MOSFETP-CH12V5
详情介绍
技术参数
品牌: | IR |
型号: | IRLMS4502TR |
批号: | 20+ |
封装: | SOT23-6 |
数量: | 15000 |
QQ: | |
描述: | MOSFET P-CH 12V 6-TSOP |
对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况: | 含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
湿气敏感性等级 (MSL): | 1(无限) |
详细描述: | 表面贴装型-P-通道-12V-(Ta)-(Ta)-Micro6™(TSOP-6) |
数据列表: | IRLMS4502; |
标准包装: | 3,000 |
包装: | 标准卷带 |
零件状态: | 停產 |
类别: | 分立半导体产品 |
产品族: | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 |
系列: | HEXFET® |
FET 类型: | P 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 12V |
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): | (Ta) |
驱动电压( Rds On,最小 Rds On): | , |
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(值): | 42 毫欧 @ , |
不同 Id 时的 Vgs(th)(值): | 600mV @ 250µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(值): | 33nC @ 5V |
Vgs(值): | ±12V |
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(值): | 1820pF @ 10V |
FET 功能: | - |
功率耗散(值): | (Ta) |
工作温度: | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
供应商器件封装: | Micro6™(TSOP-6) |
封装/外壳: | SOT-23-6 |
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