产品简介
技术参数品牌:DIODES型号:ZVN4306A批号:21+封装:N/A数量:9000QQ:制造商:DiodesIncorporated产品种类:MOSFETRoHS:是安装风格:ThroughHole封装/箱体:TO-92-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1ChannelVds-漏源极击穿电压:60VId-连续漏极电流:1
详情介绍
技术参数
品牌: | DIODES |
型号: | ZVN4306A |
批号: | 21+ |
封装: | N/A |
数量: | 9000 |
QQ: | |
制造商: | Diodes Incorporated |
产品种类: | MOSFET |
RoHS: | 是 |
安装风格: | Through Hole |
封装 / 箱体: | TO-92-3 |
晶体管极性: | N-Channel |
通道数量: | 1 Channel |
Vds-漏源极击穿电压: | 60 V |
Id-连续漏极电流: | A |
Rds On-漏源导通电阻: | 450 mOhms |
Vgs - 栅极-源极电压: | 5 V |
Vgs th-栅源极阈值电压: | V |
最小工作温度: | - 55 C |
工作温度: | + 150 C |
Pd-功率耗散: | 850 mW |
通道模式: | Enhancement |
配置: | Single |
高度: | mm |
长度: | mm |
系列: | ZVN4306 |
晶体管类型: | 1 N-Channel |
宽度: | mm |
正向跨导 - 最小值: | 700 mS |
下降时间: | 16 ns |
上升时间: | 25 ns |
典型关闭延迟时间: | 30 ns |
典型接通延迟时间: | 8 ns |
单位重量: | mg |
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