技术参数
品牌: | ST/意法半导体 |
型号: | VND5T016ASPTR-E |
数量: | 10000 |
制造商: | STMicroelectronics |
产品种类: | 门驱动器 |
RoHS: | 是 |
产品: | MOSFET Gate Drivers |
类型: | High Side |
安装风格: | SMD/SMT |
封装 / 箱体: | PowerSO-16 |
激励器数量: | 2 Driver |
输出端数量: | 2 Output |
电源电压-最小: | 8 V |
电源电压-: | 36 V |
最小工作温度: | - 40 C |
工作温度: | + 150 C |
系列: | VND5T016ASP-E |
资格: | AEC-Q100 |
技术: | Si |
商标: | STMicroelectronics |
关闭延迟时间: | 45 us |
开启延迟时间: | 50 us |
湿度敏感性: | Yes |
工作电源电流: | 4.5 mA |
工作电源电压: | 24 V |
产品类型: | Gate Drivers |
工厂包装数量: | 600 |
子类别: | PMIC - Power Management ICs |
单位重量: | 1.130 g |
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