产品简介
技术参数品牌:ON/安森美型号:MMBTA13LT1G数量:10000制造商:ONSemiconductor产品种类:达林顿晶体管RoHS:是配置:Single晶体管极性:NPN集电极—发射极电压VCEO:30V发射极-基极电压VEBO:10V集电极—基极电压VCBO:30V直流电集电极电流:0
详情介绍
技术参数
品牌: | ON/安森美 |
型号: | MMBTA13LT1G |
数量: | 10000 |
制造商: | ON Semiconductor |
产品种类: | 达林顿晶体管 |
RoHS: | 是 |
配置: | Single |
晶体管极性: | NPN |
集电极—发射极电压 VCEO: | 30 V |
发射极 - 基极电压 VEBO: | 10 V |
集电极—基极电压 VCBO: | 30 V |
直流电集电极电流: | 0.3 A |
集电极截止电流: | 0.1 uA |
Pd-功率耗散: | 225 mW |
安装风格: | SMD/SMT |
封装 / 箱体: | SOT-23-3 |
最小工作温度: | - 55 C |
工作温度: | + 150 C |
系列: | MMBTA13L |
高度: | 0.94 mm |
长度: | 2.9 mm |
宽度: | 1.3 mm |
集电极连续电流: | 0.3 A |
直流集电极/Base Gain hfe Min: | 5000 |
单位重量: | 8 mg |
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