产品简介
技术参数品牌：IXYS型号：IXTA2R4N120P批号：20+封装：TO-263数量：10000QQ：制造商：IXYS产品种类：MOSFETRoHS：是技术：Si安装风格：SMD/SMT封装/箱体：TO-263-3晶体管极性：N-Channel通道数量：1ChannelVds-漏源极击穿电压：1
详情介绍
技术参数
| 品牌： | IXYS |
| 型号： | IXTA2R4N120P |
| 批号： | 20+ |
| 封装： | TO-263 |
| 数量： | 10000 |
| QQ： | |
| 制造商： | IXYS |
| 产品种类： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 技术： | Si |
| 安装风格： | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体： | TO-263-3 |
| 晶体管极性： | N-Channel |
| 通道数量： | 1 Channel |
| Vds-漏源极击穿电压： | kV |
| Id-连续漏极电流： | A |
| Rds On-漏源导通电阻： | Ohms |
| Vgs - 栅极-源极电压： | 20 V |
| Qg-栅极电荷： | 37 nC |
| 最小工作温度： | - 55 C |
| 工作温度： | + 150 C |
| Pd-功率耗散： | 125 W |
| 通道模式： | Enhancement |
| 封装： | Tube |
| 配置： | Single |
| 高度： | mm |
| 长度： | mm |
| 系列： | IXTA2R4N120 |
| 晶体管类型： | 1 N-Channel |
| 宽度： | mm |
| 商标： | IXYS |
| 下降时间： | 32 ns |
| 产品类型： | MOSFET |
| 上升时间： | 25 ns |
| 工厂包装数量： | 50 |
| 子类别： | MOSFETs |
| 典型关闭延迟时间： | 70 ns |
| 典型接通延迟时间： | 22 ns |
| 单位重量： | g |
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