技术参数
品牌: | IXYS |
型号: | IXTH48N65X2 |
批号: | 20+ |
封装: | TO-247 |
数量: | 50000 |
QQ: | |
制造商: | IXYS |
产品种类: | MOSFET |
RoHS: | 是 |
安装风格: | Through Hole |
封装 / 箱体: | TO-247-3 |
晶体管极性: | N-Channel |
Vds-漏源极击穿电压: | 650 V |
Id-连续漏极电流: | 48 A |
Rds On-漏源导通电阻: | 65 mOhms |
Vgs - 栅极-源极电压: | 30 V |
Vgs th-栅源极阈值电压: | 3 V |
最小工作温度: | - 55 C |
工作温度: | + 150 C |
Pd-功率耗散: | 660 W |
商标名: | HiPerFET |
封装: | Tube |
配置: | Single |
产品: | Power MOSFET Modules |
类型: | X2-Class |
商标: | IXYS |
下降时间: | 15 ns |
产品类型: | MOSFET |
上升时间: | 26 ns |
工厂包装数量: | 30 |
子类别: | MOSFETs |
典型关闭延迟时间: | 50 ns |
典型接通延迟时间: | 19 ns |
单位重量: | 6 g |
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