产品简介
技术参数品牌:TOSHIBA/东芝型号:SSM3K329R,LF批号:1610+数量:2869QQ:制造商:Toshiba产品种类:MOSFETRoHS:是技术:Si安装风格:SMD/SMT封装/箱体:SOT-23F-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1ChannelVds-漏源极击穿电压:30VId-连续漏极电流:3
详情介绍
技术参数
品牌: | TOSHIBA/东芝 |
型号: | SSM3K329R,LF |
批号: | 1610+ |
数量: | 2869 |
QQ: | |
制造商: | Toshiba |
产品种类: | MOSFET |
RoHS: | 是 |
技术: | Si |
安装风格: | SMD/SMT |
封装 / 箱体: | SOT-23F-3 |
晶体管极性: | N-Channel |
通道数量: | 1 Channel |
Vds-漏源极击穿电压: | 30 V |
Id-连续漏极电流: | 3.5 A |
Rds On-漏源导通电阻: | 126 mOhms |
Vgs - 栅极-源极电压: | 4 V |
Vgs th-栅源极阈值电压: | 400 mV |
Qg-栅极电荷: | 1.5 nC |
工作温度: | + 150 C |
Pd-功率耗散: | 1 W |
通道模式: | Enhancement |
商标名: | U-MOSIII |
封装: | Cut Tape |
封装: | MouseReel |
封装: | Reel |
配置: | Single |
高度: | 0.9 mm |
长度: | 2.9 mm |
系列: | SSM3K329 |
晶体管类型: | 1 N-Channel |
宽度: | 1.3 mm |
商标: | Toshiba |
正向跨导 - 最小值: | 2.1 S |
产品类型: | MOSFET |
工厂包装数量: | 3000 |
子类别: | MOSFETs |
典型关闭延迟时间: | 6.4 ns |
典型接通延迟时间: | 9.2 ns |
单位重量: | 8 mg |
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